光刻机概念正悄然成为科技界的焦点。让我们一同回顾2025年，中国在光刻机技术上取得的里程碑式进展：
在28纳米节点，上海微电子的深紫外（DUV）光刻机已成功实现量产，实测良品率高达82%。这一突破不仅标志着中国光刻机技术的飞跃，更以“年产百台”的宏伟计划，向世界展示了中国制造的强大实力。首台封装光刻机已成功交付，为汽车电子、工业芯片等领域提供了坚实的支持，满足了70%的成熟制程需求。
更为振奋人心的是，自主研发的极紫外（EUV）光刻机Hyperion-1已迈入试产阶段。这款采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术的光刻机，光源效率高达4.5%，远超国际同行ASML的2%水平，成本更是降低了30%。Hyperion-1支持5至3纳米制程，功率达到50W，而下一代产品Hyperion-2更是计划将功率提升至150W，预计于2026年面世。
在核心部件方面，中国同样取得了显著进展。科益虹源的固态深紫外光源技术，为3纳米制程提供了有力支撑；茂莱光学则成功实现了投影物镜的国产化，打破了国际垄断；清华大学研发的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻胶，其灵敏度已达到国际领先水平，为中国光刻胶产业的崛起奠定了坚实基础。
此外，国产光刻机在国内市场的出货量已占据超过80%的份额，这一成绩不仅彰显了中国光刻机产业的蓬勃发展，更迫使国际巨头ASML下调了2025年的收入预期。同时，封装光刻机与硅光芯片技术的结合，进一步降低了对EUV光刻机的依赖，为全球半导体产业格局带来了深刻变革。
综上所述，中国光刻机技术正以28纳米量产为基础，EUV试产为突破，核心部件与替代技术双管齐下，正逐步重塑全球半导体产业的未来。
