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导通电阻低至17nC,超低栅极电荷和功率转换应用中MOSFET因数

时间:2023-11-07 11:10:45 浏览:644

正常操作期间,浪涌抑制器IC会持续接通外部MOS,将输入电压传递给输出。内部比较器会限制流经电流检测电阻器的电压,调节最大输出电流,预防过流故障。 


该操作能将输出电压调整到安全水平,让负载顺利度过输入过压事件。 


按照传统,设计者需要使用一个很大的重型散热器方能连续操作。由于LTC7860采用了高效的开关拓扑,所以设计者可以使用小得多的散热器,或者根本不使用散热器。 


该模块采用32引脚密封双列直插(DIL)陶瓷封装,尺寸约为40mm×23mm。 

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LTC7860浪涌抑制器IC能够保护负载免遭高压瞬变的伤害,发生输入过压事件时,LTC7860会控制外部MOSFET的栅极,充当开关DC/DC稳压器(保护PWM模式)。 

Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E与SiHJ7N65E可以为采用TO-252(DPAK)封装的MOSFET提供节省空间的替代品,降低照明、工业、电信、计算和消费类应用的封装电感。 

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超结技术,具有低至0.52Ω(@10 V)的最大导通电阻、低至17nC的超低栅极电荷和适于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)。 

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STM32产品家族为市场公认的行业标准嵌入式处理器架构的开发社区带来世界最多的价格、功率、性能选择,背后还有一个功能全面的生态系统的强大支持,其中包括免费的软件和低价的开发板,帮助客户实现研发周期最小化,投资回报率最大化。 

成本和印刷电路板空间是STM32及新软件栈解决方案的重要优势所在,因为STM32片上有丰富的功能可以使用,像电压比较器、模数转换器、定时器和直接访存技术,实际设计只需一个由数个无源器件组成的简单的模拟前端。 

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