GH15基于SiC衬底，非常适合高达35GHz的广泛军事、航天和电信应用。它支持高功率、高线性度和高PAE产品的设计。
这项技术表现出3.5W/mm @ 30GHz的出色功率密度和20V的漏极电源。
GH15器件库包括一整套用于HPA、lna、开关和肖特基二极管的晶体管模型。
| Element | Typical value |
| Vt | -3.2V |
| Idss | 1.2A/mm |
| Ids+ | 1.4A/mm |
| Gm | 390ms/mm |
| VDS_DC | 20V |
| Ft | >35GHz |
| Fmax | >100GHz |
| MIM Density | 175pf/mm2 |
| Metallic resistors | 30 and 1000 Ohms/sq |
| Via-holes | Available on 70µm substrate thickness |
GH15包括MIM电容、电感器、空气桥、金属电阻器、穿过衬底的通路和用于互连的两个金属层。
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