2026世界制造业大会20日在安徽合肥开幕。中国芯片制造商长鑫存储在大会上宣布，其第五代DRAM（动态随机存取存储器）技术平台（简称“G5平台”）实现量产，晶圆产出较上一代提升至少50%，并同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。
DRAM是一种半导体存储器，广泛应用于移动终端、计算机、服务器、虚拟现实和物联网等领域。近年来，随着人工智能产业和大数据的快速发展，全球对DRAM产品的性能、容量要求大幅提升。
据长鑫存储介绍，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。通过创新的四重曝光技术，内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。另外，通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。
在G5微缩工艺突破背景下，存储密度实现跨越式提升：跟第四代平台相比，每片晶圆产出裸片数量提升了至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。
与此同时，长鑫存储还展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。
长鑫存储LPDDR6研发同样取得了新进展。据财联社报道，今年8月，长鑫存储自主研发的LPDDR6实现量产，首批搭载于小米18 Fold摺叠旗舰手机。这是全球LPDDR6产品首次落地商用，标志着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外厂商长期垄断产品先发的局面，实现全球首发量产。
第五代工艺技术平台实现量产，将有助于长鑫存储进一步丰富产品矩阵、提升核心竞争力、巩固市场地位。
