据《日经亚洲》报道，全球内存芯片短缺预计将持续至 2027 年前后，三星电子、海力士与美光科技的 DRAM 产能扩张速度仅能满足届时市场需求的约 60%，而三家企业合计占据全球 DRAM 市场约 90% 的份额。

近年来，它们将资源集中投入 AI 数据中心所需的高带宽内存（HBM）生产，导致通用型内存供给持续受压，短缺态势自去年秋季起已逐步显现，今年第一季度内存价格环比涨幅约达 90%。

产能方面，三家厂商的新增产线大多要到明年乃至 2028 年后才能投产。海力士今年 2 月在清州启动的 HBM 晶圆厂，是三家中今年唯一实质性的产能增量。

SK 集团会长崔泰源今年 3 月中旬表示，AI 内存供给紧张甚至可能延续至 2030 年。Counterpoint Research 估算，化解短缺需行业每年扩产 12%，而目前各方规划仅能实现 7.5%，供需关系最快要到 2028 年才有望正常化。

短缺冲击正向消费电子蔓延。内存成本占低价智能手机制造成本的比例，预计将从当前约 20% 升至今年年中的近 40%，手机、笔记本电脑、VR 头显等产品均已出现不同程度的涨价。IDC 数据显示，今年智能手机销量预计同比下滑 13%。